Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs

Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP с составной квантовой ямой InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова–де-Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы $m^*_c$ с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Предложен и апробирован подход к оценке эффективной массы, основанный на весовом усреднении $m^*_c$ в составляющих сложную квантовую яму материалах. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в квантовых ямах нановставками InAs позволяет уменьшить $m^*_c$ на 26% по сравнению с решеточно-согласованной квантовой ямой In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As.