|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 4, страницы 525–529
(Mi phts8217)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Воздействие барьерного разряда лавинной формы на галогенсеребряный фотоматериал при заблокированной ионной проводимости
А. П. Бойченко Кубанский государственный университет, г. Краснодар
Аннотация:
Путем химического воздействия 1-фенил-5-меркаптотетразолом на ионную подсистему микрокристаллов галоидного серебра фотографических эмульсий исследованы процессы формирования изображений барьерного газового разряда лавинной формы, возбуждаемого одиночными видеоимпульсами длительностью $\sim$7 мкс. На примерах промышленно выпускаемой рентгеновской фотопленки “RETINA” и специально изготовленных с эффективными поверхностными и глубинными ловушками электронов в фотоэмульсионных микрокристаллах выявлена избирательная газоразрядная чувствительность фотослоев к полярности прикладываемого напряжения. Показано, что независимо от расположения фотоматериалов в системе конденсатора их чувствительность к барьерному разряду, зажигающемуся при импульсах отрицательной полярности (на электроде, где находится фотоматериал), оказывается выше, чем при положительной.
Поступила в редакцию: 19.09.2011 Принята в печать: 03.10.2011
Образец цитирования:
А. П. Бойченко, “Воздействие барьерного разряда лавинной формы на галогенсеребряный фотоматериал при заблокированной ионной проводимости”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 525–529; Semiconductors, 46:4 (2012), 509–513
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8217 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i4/p525
|
|