Диодные размыкатели тока с субнаносекундным быстродействием на основе 4H-SiC

Изготовлены меза-эпитаксиальные $p^+$–$p$–$n_0$–$n^+$-диоды на основе 4H-SiC и измерены характеристики их переключения из прямого направления в обратное в режимах, характерных для быстродействующих полупроводниковых размыкателей тока – дрейфовых диодов с резким восстановлением и SOS-диодов. Обнаружено, что после короткой ($\sim$10 нс) импульсной накачки неравновесных носителей прямым током (плотностью 200–400 А/см$^2$) и последующего наброса импульса обратного напряжения (с фронтом нарастания 2 нс) диоды способны обрывать обратный ток плотностью 5–40 кА/см$^2$ за время порядка или менее 0.3 нс. Обсуждается возможный механизм обнаруженного сверхбыстрого обрыва тока.