Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP)

Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления $\rho_c$ омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP) до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки $\rho_c$ может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100–400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей $\rho_c(T)$, объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.