Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 4, страницы 569–575 (Mi phts8225)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава

Н. А. Валишеваa, О. Е. Терещенкоab, И. П. Просвиринc, А. В. Калинкинc, В. А. Голяшовb, Т. А. Левцоваa, В. И. Бухтияровc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 603090 Новосибирск, Россия
c Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (735 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии изучен химический состав анодных слоев (толщиной $\sim$20 нм), выращенных на InAs(111)A в щелочном и кислотном электролитах, не содержащих и содержащих NH$_4$F. Показано, что состав фторсодержащих слоев определяется соотношением концентраций ионов фтора и гидроксилов в электролите, а также процессами диффузии, протекающими в растущем слое. Фтор накапливается на границе раздела анодный слой/InAs. Окисление InAs в кислотном электролите с низкой концентрацией кислорода и высокой концентрацией NH$_4$F приводит к формированию анодных слоев с высоким содержанием фтора, элементного мышьяка и образованию бескислородной границы раздела InF$_x$/InAs. Фторсодержащие слои, выращенные в щелочном электролите с высокой концентрацией O$^{2-}$ и(или) OH$^-$-групп, содержат примерно в 3 раза меньше фтора и состоят из оксифторидов индия и мышьяка. Не выявлено различия в составе слоев, выращенных в обоих электролитах без фтора.
Поступила в редакцию: 25.08.2011
Принята в печать: 03.10.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 4, Pages 545–551
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612040070
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Валишева, О. Е. Терещенко, И. П. Просвирин, А. В. Калинкин, В. А. Голяшов, Т. А. Левцова, В. И. Бухтияров, “Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 569–575; Semiconductors, 46:4 (2012), 545–551
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ValTerPro12}
\by Н.~А.~Валишева, О.~Е.~Терещенко, И.~П.~Просвирин, А.~В.~Калинкин, В.~А.~Голяшов, Т.~А.~Левцова, В.~И.~Бухтияров
\paper Формирование анодных слоев на InAs(111)A. Исследование химического состава
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 4
\pages 569--575
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8225}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319147}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 4
\pages 545--551
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612040070}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8225
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i4/p569
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025