Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Обзор

Эффекты переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках известны уже почти полвека. Однако до сегодняшнего дня физика этих эффектов остается неизвестной. В последнее время интерес к данному вопросу вызван интенсивными разработками элементов энергонезависимой памяти нового поколения на основе фазового перехода халькогенидное стекло-кристалл. В данной работе приведен обзор основных экспериментальных закономерностей эффектов переключения и памяти, сделан обзор и анализ моделей эффекта переключения. Рассмотрены основные характеристики элементов памяти с изменяемым фазовым состоянием и используемых материалов. На основании этого сформулированы преимущества современных элементов фазовой памяти по сравнению с элементами памяти первого поколения.