Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 616–619 (Mi phts8229)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN

С. Е. Красавин

Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Московская обл., Россия
PDF полного текста (167 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Предложена теоретическая модель в рамках традиционного представления о ридовских цилиндрах для объяснения коллапса подвижности как функции концентрации свободных носителей в пленках на основе GaN. Наряду с фононными и примесными механизмами рассеяния в модели учитывается рассеяние электронов за счет заряженных дислокаций, выстроенных в стенку. Найдено выражение для высоты дрейфового барьера в зависимости от концентрации свободных носителей. На основе полученных уравнений объясняется причина зависимости положения минимума подвижности от дислокационной структуры.
Поступила в редакцию: 28.09.2011
Принята в печать: 20.10.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 5, Pages 598–601
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612050132
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Е. Красавин, “О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 616–619; Semiconductors, 46:5 (2012), 598–601
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kra12}
\by С.~Е.~Красавин
\paper О влиянии заряженных дислокационных стенок на подвижность в эпитаксиальных слоях GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 616--619
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8229}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319151}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 598--601
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612050132}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8229
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p616
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025