Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 620–623 (Mi phts8230)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Тепловое расширение и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов CuIn$_5$S$_8$

И. В. Боднарь

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь
Аннотация: Направленной кристаллизацией расплава (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы тройного соединения CuIn$_5$S$_8$. Определены состав и структура полученных кристаллов. Дилатометрическим методом измерено относительное удлинение, и рассчитаны коэффициенты теплового расширения. Из полученных данных рассчитаны температуры Дебая $(\Theta_{\mathrm{D}})$ и среднеквадратичные динамические смещения $(\sqrt{\bar u^2})$ атомов в соединении CuIn$_5$S$_8$. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 20–300 K определена ширина запрещенной зоны, и построена ее температурная зависимость.
Поступила в редакцию: 04.10.2011
Принята в печать: 31.10.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 5, Pages 602–605
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612050089
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, “Тепловое расширение и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов CuIn$_5$S$_8$”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 620–623; Semiconductors, 46:5 (2012), 602–605
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bon12}
\by И.~В.~Боднарь
\paper Тепловое расширение и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов CuIn$_5$S$_8$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 620--623
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8230}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319152}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 602--605
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612050089}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8230
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p620
  • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025