|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 620–623
(Mi phts8230)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Тепловое расширение и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов CuIn$_5$S$_8$
И. В. Боднарь Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Беларусь
Аннотация:
Направленной кристаллизацией расплава (вертикальный метод Бриджмена) выращены монокристаллы тройного соединения CuIn$_5$S$_8$. Определены состав и структура полученных кристаллов. Дилатометрическим методом измерено относительное удлинение, и рассчитаны коэффициенты теплового расширения. Из полученных данных рассчитаны температуры Дебая $(\Theta_{\mathrm{D}})$ и среднеквадратичные динамические смещения $(\sqrt{\bar u^2})$ атомов в соединении CuIn$_5$S$_8$. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 20–300 K определена ширина запрещенной зоны, и построена ее температурная зависимость.
Поступила в редакцию: 04.10.2011 Принята в печать: 31.10.2011
Образец цитирования:
И. В. Боднарь, “Тепловое расширение и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов CuIn$_5$S$_8$”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 620–623; Semiconductors, 46:5 (2012), 602–605
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8230 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p620
|
|