Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия $p$-типа

Исследовалось влияние олова на формирование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах германия $p$-типа, облученных электронами с энергией 6 МэВ при температуре 80 K. Показано, что в облученных кристаллах Ge : Sn, Ga после нагрева до температуры 300 K доминируют акцепторные комплексы SnV с энтальпией ионизации дырок при 0.16 эВ. Эти комплексы исчезали при отжиге облученных кристаллов в интервале температур 30–75$^\circ$C. Отжиг облученных кристаллов в области температур 110–150$^\circ$C приводил к формированию глубоких центров с донорным уровнем при $E_v$ + 0.29 эВ, который предположительно приписывается комплексу олово-межузельный атом галлия.