Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 641–643 (Mi phts8235)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки

Д. И. Тетельбаум, С. В. Тихов, Е. В. Курильчик, Ю. А. Менделева

Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (242 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Установлено, что в результате облучения светом (со стороны базы) образца кремния с барьером Шоттки происходит уменьшение фотоэдс барьера. Величина фотоэдс восстанавливается приблизительно через 0.5 ч после облучения. Изменения фотоэдс при облучении сопоставляются с поведением микротвердости кремния и интерпретируются на основе представления о генерации точечных дефектов в эффекте дальнодействия.
Поступила в редакцию: 15.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 5, Pages 622–624
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612050235
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. И. Тетельбаум, С. В. Тихов, Е. В. Курильчик, Ю. А. Менделева, “Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 641–643; Semiconductors, 46:5 (2012), 622–624
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TetTikKur12}
\by Д.~И.~Тетельбаум, С.~В.~Тихов, Е.~В.~Курильчик, Ю.~А.~Менделева
\paper Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 641--643
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8235}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319157}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 622--624
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612050235}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8235
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p641
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025