Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными квантовыми ямами

Исследован латеральный транспорт электронов в одно- и двухъямных псевдоморфных гетероструктурах GaAs/$n$-InGaAs/GaAs с квантовыми ямами глубиной 50–100 мэВ и $\delta$-слоями примеси в области ям с концентрацией 10$^{11}<N_s<10^{12}$ см$^{-2}$. В одноямных структурах, с легированием в центре ямы, наблюдаются немонотонная температурная зависимость коэффициента Холла и рост низкотемпературной подвижности электронов при увеличении концентрации примеси. Совокупность полученных результатов свидетельствует о том, что в проводимости таких структур существенную роль играют электронные состояния примесной зоны. Включение примесной зоны позволяет также удовлетворительно объяснять характеристики проводимости двухъямных структур, при этом в отличие от одноямных структур важную роль играет изгиб зон вследствие асимметричного легирования. Численные расчеты проводимости в рамках рассмотренной модели подтверждают сделанные предположения.