Определение модуля Юнга нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке

В работе представлен удобный и оперативный метод измерения модуля Юнга полупроводниковых нанопроводов, наклонно стоящих на ростовой подложке. Метод состоит в упругом изгибе нанопровода под давлением зонда атомно-силового микроскопа с одновременной регистрацией нагрузочно-разгрузочных зависимостей возникающего изгиба балки зонда. Из этих зависимостей определяется коэффициент изгибной жесткости наклоненных нанопроводов и затем с учетом их габаритов находится модуль Юнга. Применение метода показано на примере нанопроводов GaAs, наклонно растущих на подложке GaAs(111). Определение модуля Юнга с учетом реальной формы и огранки нанопроводов выполнялось по методу конечных элементов для случая упругого стационарного изгиба нанопроводов. Оказалось, что достаточно аккуратные оценки модуля Юнга могут быть получены и при использовании аппроксимации нанопроводов круглыми и цилиндрами с одинаковой площадью сечения. Для исследовавшихся нанопроводов GaAs с кубической решеткой значение модуля Юнга оказалось в 2–3 раза меньше его величины в объемном GaAs. Найденное отличие связывается с присутствием в нанопроводах дефектов упаковки.