Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 673–676 (Mi phts8241)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Механизм терагерцовой фотопроводимости в полуметаллических квантовых ямах HgTe/CdHgTe

Ю. Б. Васильевa, Н. Н. Михайловb, F. Gouiderc, Г. Ю. Васильеваd, G. Nachtweic

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
c Институт прикладной физики, 38106 Брауншвейг, Германия
d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (252 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Проведены исследования терагерцовой фотопроводимости в магнитных полях в полуметаллических квантовых ямах HgTe/CdHgTe. Основной вклад в фотопроводимость дает сигнал, возникающий из-за разогрева электронного газа. Показано, что при выполнении условия циклотронного резонанса сигнал фотопроводимости состоит из циклотронно-резонансной и болометрической компонент, однако и в этом случае болометрический вклад является преобладающим.
Поступила в редакцию: 16.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 5, Pages 655–658
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612050247
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. Б. Васильев, Н. Н. Михайлов, F. Gouider, Г. Ю. Васильева, G. Nachtwei, “Механизм терагерцовой фотопроводимости в полуметаллических квантовых ямах HgTe/CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 673–676; Semiconductors, 46:5 (2012), 655–658
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasMikGou12}
\by Ю.~Б.~Васильев, Н.~Н.~Михайлов, F.~Gouider, Г.~Ю.~Васильева, G.~Nachtwei
\paper Механизм терагерцовой фотопроводимости в полуметаллических квантовых ямах HgTe/CdHgTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 673--676
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8241}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319163}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 655--658
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612050247}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8241
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p673
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025