Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 677–683 (Mi phts8242)  
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Термоэлектрическая добротность объемных наноструктурированных композитов с распределенными параметрами

А. А. Снарскийa, А. К. Сарычевb, И. В. Безсудновc, А. Н. Лагарьковb

a Национальный технический университет Украины "КПИ", 03056 Киев, Украина
b Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН, 125412 Москва, Россия
c ЗАО НПП "Наука-Сервис", 103473 Москва, Россия
PDF полного текста (417 kB) Список цитирования (20)
Аннотация: Рассмотрены эффективные свойства композитов, структура которых включает в себя наноконтакты между макрокристаллитами объемной фазы. Построена модель такого наноструктурированного композита. В приближении среднего поля вычислены значения эффективных значений термоэдс, тепло- и электропроводности, термоэлектрической добротности.
Поступила в редакцию: 22.09.2011
Принята в печать: 14.10.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 5, Pages 659–665
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261205020X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Снарский, А. К. Сарычев, И. В. Безсуднов, А. Н. Лагарьков, “Термоэлектрическая добротность объемных наноструктурированных композитов с распределенными параметрами”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 677–683; Semiconductors, 46:5 (2012), 659–665
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SnaSarBez12}
\by А.~А.~Снарский, А.~К.~Сарычев, И.~В.~Безсуднов, А.~Н.~Лагарьков
\paper Термоэлектрическая добротность объемных наноструктурированных композитов с распределенными параметрами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 677--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8242}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319164}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 659--665
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261205020X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8242
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p677
    • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025