Кремниевые полевые транзисторы как приемники излучения суб-ТГц диапазона

Исследован нерезонансный отклик кремниевых метал–оксид–полупроводниковых полевых транзисторов (Si-MOSFET) с длинным каналом (1–20 мкм) на излучение частотного диапазона 43–135 ГГц. Транзисторы были изготовлены по 1-мкм-проектным нормам стандартной КМОП технологии. Проведены оценки вольт-ваттной чувствительности и эквивалентной мощности шуму таких приемников с учетом рассчитанной эффективной площади детектирующего элемента. Показано, что такие транзисторы могут работать при комнатной температуре как широкополосные приемники прямого детектирования суб-ТГц излучения. Для диапазона длин волн 4–5 мм их вольт-ваттная чувствительность может достигать десятков кВ/Вт, а эквивалентная шуму мощность 10$^{-11}$–10$^{-12}$ Вт/$\sqrt{\text{Гц}}$. Параметры исследуемых приемников можно улучшить с помощью оптимизированных планарных антенн.