|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 701–707
(Mi phts8246)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесенной неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на квантовых точках
В. В. Кореневa, А. В. Савельевab, А. Е. Жуковabc, А. В. Омельченкоab, М. В. Максимовac a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Получены аналитические выражения для формы и ширины спектров генерации лазера на квантовых точках при малом, по сравнению с шириной спектра, однородном уширении уровней энергии квантовых точек. Показано, что при комнатной температуре зависимость ширины спектра лазерной генерации от выходной мощности определяется двумя безразмерными параметрами: нормированной на температуру шириной распределения квантовых точек по энергии оптического перехода, а также отношением оптических потерь к максимальному усилению. Найдены оптимальные размеры активной области лазера для достижения заданной ширины спектра излучения при минимальном токе накачки. Проанализирована возможность использования многослойных структур с квантовыми точками для увеличения ширины спектра лазерной генерации. Показано, что использование нескольких рядов квантовых точек с преднамеренно варьируемым положением энергии оптического перехода приводит к уширению спектров генерации и приведены численные оценки.
Поступила в редакцию: 31.10.2011 Принята в печать: 07.11.2011
Образец цитирования:
В. В. Коренев, А. В. Савельев, А. Е. Жуков, А. В. Омельченко, М. В. Максимов, “Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесенной неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на квантовых точках”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 701–707; Semiconductors, 46:5 (2012), 684–689
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8246 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p701
|
|