Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 701–707 (Mi phts8246)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесенной неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на квантовых точках

В. В. Кореневa, А. В. Савельевab, А. Е. Жуковabc, А. В. Омельченкоab, М. В. Максимовac

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Получены аналитические выражения для формы и ширины спектров генерации лазера на квантовых точках при малом, по сравнению с шириной спектра, однородном уширении уровней энергии квантовых точек. Показано, что при комнатной температуре зависимость ширины спектра лазерной генерации от выходной мощности определяется двумя безразмерными параметрами: нормированной на температуру шириной распределения квантовых точек по энергии оптического перехода, а также отношением оптических потерь к максимальному усилению. Найдены оптимальные размеры активной области лазера для достижения заданной ширины спектра излучения при минимальном токе накачки. Проанализирована возможность использования многослойных структур с квантовыми точками для увеличения ширины спектра лазерной генерации. Показано, что использование нескольких рядов квантовых точек с преднамеренно варьируемым положением энергии оптического перехода приводит к уширению спектров генерации и приведены численные оценки.
Поступила в редакцию: 31.10.2011
Принята в печать: 07.11.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 5, Pages 684–689
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612050120
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Коренев, А. В. Савельев, А. Е. Жуков, А. В. Омельченко, М. В. Максимов, “Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесенной неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на квантовых точках”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 701–707; Semiconductors, 46:5 (2012), 684–689
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorSavZhu12}
\by В.~В.~Коренев, А.~В.~Савельев, А.~Е.~Жуков, А.~В.~Омельченко, М.~В.~Максимов
\paper Влияние неоднородного уширения и преднамеренно внесенной неупорядоченности на ширину спектра генерации лазеров на квантовых точках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 701--707
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8246}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319168}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 684--689
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612050120}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8246
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p701
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025