Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 5, страницы 708–713 (Mi phts8247)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C

Н. Д. Ильинскаяa, А. Л. Закгеймb, С. А. Карандашевa, Б. А. Матвеевa, В. И. Ратушныйc, М. А. Ременныйa, А. Ю. Рыбальченкоc, Н. М. Стусьa, А. Е. Черняковb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
c Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), 346428 Новочеркасск, Россия
PDF полного текста (595 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Проведен анализ вольт-амперных характеристик и температурных зависимостей динамического сопротивления при нулевом смещении для фотодиодов на основе InAsSb, учитывающий сгущение линий тока вблизи анода, с использованием экспериментальных данных о распределении интенсивности положительной и отрицательной люминесценции по поверхности диодов. Обсуждено влияние температуры на эффективность сбора фотогенерированных носителей в диодах, а также влияние конфигурации анода на токовую чувствительность и обнаружительную способность диодов.
Поступила в редакцию: 14.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 5, Pages 690–695
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612050119
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Ильинская, А. Л. Закгейм, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, А. Е. Черняков, “Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25–80$^\circ$C”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 708–713; Semiconductors, 46:5 (2012), 690–695
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IliZakKar12}
\by Н.~Д.~Ильинская, А.~Л.~Закгейм, С.~А.~Карандашев, Б.~А.~Матвеев, В.~И.~Ратушный, М.~А.~Ременный, А.~Ю.~Рыбальченко, Н.~М.~Стусь, А.~Е.~Черняков
\paper Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница $\lambda_{0.1}$ = 4.5 мкм), работающие при температурах 25--80$^\circ$C
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 708--713
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8247}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319169}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 5
\pages 690--695
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612050119}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8247
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i5/p708
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025