Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6, страницы 725–727 (Mi phts8250)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Оптические переходы в MnGa$_2$Se$_4$

Б. Г. Тагиев, Т. Г. Керимова, О. Б. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, И. А. Мамедова

Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
PDF полного текста (159 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: В интервале температур 110–295 K исследована зависимость коэффициента поглощения от энергии падающих фотонов в монокристалле MnGa$_2$Se$_4$. С использованием теоретико-группового анализа симметрии электронных состояний и сопоставления симметрии энергетического спектра MnGa$_2$Se$_4$ и его изоэлектронных аналогов сделан вывод о характере оптических переходов. Показано, что особенности при 2.31 и 2.45 эВ связаны с внутрицентровыми переходами $^6A_1^1\to^4T_2(^4G)$ и $^6A_1^2\to^4T_2(^4G)$. Состояние $^6A_1$ расщеплено кристаллическим полем.
Поступила в редакцию: 08.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 6, Pages 705–707
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612060243
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. Г. Тагиев, Т. Г. Керимова, О. Б. Тагиев, С. Г. Асадуллаева, И. А. Мамедова, “Оптические переходы в MnGa$_2$Se$_4$”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 725–727; Semiconductors, 46:6 (2012), 705–707
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TagKerTag12}
\by Б.~Г.~Тагиев, Т.~Г.~Керимова, О.~Б.~Тагиев, С.~Г.~Асадуллаева, И.~А.~Мамедова
\paper Оптические переходы в MnGa$_2$Se$_4$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 6
\pages 725--727
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8250}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319172}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 6
\pages 705--707
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612060243}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8250
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i6/p725
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025