Влияние структурных особенностей поликристаллических пленок полупроводников на формирование эффекта аномального фотонапряжения. II. Сравнение с экспериментом

Для трех групп поликристаллических пленок полупроводников проведено экспериментальное исследование влияния угла падения света относительно плоскости подложки на амплитуду и знак эффекта аномального фотонапряжения. В соответствии с теорией, развитой ранее, исследованы пленки, в которых имелась возможность обеспечения на границах кристаллитов истощающего изгиба зон, инверсионного изгиба зон с сохранением надбарьерного механизма токопереноса и инверсионного изгиба зон с механизмом токопереноса вдоль инверсионных каналов. Все три типа границ кристаллитов обнаруживаются в пленках $n$-PbTe. Экспериментально установлено, что для первого и третьего типов границ наблюдается инверсия знака аномального фотонапряжения, для второго типа инверсии нет. К первому типу пленок относятся пленки Si, где возможен только истощающий изгиб зон, там наблюдается инверсия знака аномального фотонапряжения. Установлено полное соответствие теории и эксперимента.