Глубокий уровень ванадия в разбавленных магнитных полупроводниках Pb$_{1-x-y}$Sn$_x$V$_y$Te

Исследованы кристаллическая структура, распределение олова и ванадия по длине монокристаллических слитков и гальваномагнитные эффекты в слабых магнитных полях (4.2 $\le T\le$ 300 K, $\mathbf{B}\le$ 0.07 Тл) в твердых растворах Pb$_{1-x-y}$Sn$_x$V$_y$Te ($x$ = 0.05–0.21, $y\le$ 0.015). Показано, что все образцы однофазны, а концентрации олова и ванадия экспоненциально увеличиваются от начала к концу слитков. При легировании ванадием обнаружены уменьшение концентрации свободных дырок и переход металл-диэлектрик, связанные с возникновением глубокого примесного уровня ванадия в запрещенной зоне, перераспределением электронов между уровнем и валентной зоной и стабилизацией уровня Ферми примесным уровнем. Определена скорость движения уровня ванадия относительно дна зоны проводимости и предложена диаграмма перестройки электронной структуры Pb$_{1-x-y}$Sn$_x$V$_y$Te при изменении состава матрицы.