Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6, страницы 769–774 (Mi phts8257)  

Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 24 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства

А. В. Емельяновa, А. Г. Казанскийa, П. К. Кашкаровab, О. И. Коньковc, Е. И. Теруковc, П. А. Форшab, М. В. Хенкинa, А. В. Кукинc, M. Beresnad, P. Kazanskyd

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова, 119991 Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", 123182 Москва, Россия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
d Optoelectronics Research Centre, University of Southampton, UK
Аннотация: Исследовано влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок гидрогенизированного аморфного кремния ($a$-Si : H) на изменение их структурных, фотоэлектрических и оптических свойств. Использованные в работе условия проведения лазерной обработки различной интенсивности приводили к неоднородному по поверхности изменению структуры пленки. Рост интенсивности облучения приводил к увеличению вклада нанокристаллической фазы в усредненную по поверхности образца структуру, а также к увеличению проводимости и фотопроводимости исследованных образцов. В то же время спектральная зависимость коэффициента поглощения для всех исследованных образцов, полученная методом постоянного фототока, имела форму, характерную для пленок аморфного кремния. Полученные результаты указывают на возможность увеличения фотопроводимости в пленках $a$-Si : H в результате их облучения фемтосекундными лазерными импульсами.
Поступила в редакцию: 01.12.2011
Принята в печать: 06.12.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 6, Pages 749–754
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612060097
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Емельянов, А. Г. Казанский, П. К. Кашкаров, О. И. Коньков, Е. И. Теруков, П. А. Форш, М. В. Хенкин, А. В. Кукин, M. Beresna, P. Kazansky, “Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 769–774; Semiconductors, 46:6 (2012), 749–754
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EmeKazKas12}
\by А.~В.~Емельянов, А.~Г.~Казанский, П.~К.~Кашкаров, О.~И.~Коньков, Е.~И.~Теруков, П.~А.~Форш, М.~В.~Хенкин, А.~В.~Кукин, M.~Beresna, P.~Kazansky
\paper Влияние фемтосекундного лазерного облучения пленок аморфного гидрогенизированного кремния на их структурные, оптические и фотоэлектрические свойства
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 6
\pages 769--774
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8257}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319179}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 6
\pages 749--754
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612060097}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8257
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i6/p769
  • Эта публикация цитируется в следующих 24 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025