|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6, страницы 792–797
(Mi phts8261)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры
Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Проведен расчет положения уровней размерного квантования носителей заряда в прямоугольной квантовой яме в твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te в рамках четырехзонной модели Кейна, учитывающей подмешивание состояний электронов и трех видов дырок (тяжелых, легких и спин-отщепленных). Сравнение результатов расчета с экспериментальными данными по фотолюминесценции квантовых ям на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te показывает возможность регистрации оптических переходов с участием электронов и легких дырок.
Поступила в редакцию: 16.11.2011 Принята в печать: 17.11.2011
Образец цитирования:
Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 792–797; Semiconductors, 46:6 (2012), 773–778
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8261 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i6/p792
|
|