Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 6, страницы 815–819 (Mi phts8266)  
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Углеродные системы

Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена

А. В. Бабичевab, В. Ю. Буткоab, М. С. Соболевa, Е. В. Никитинаa, Н. В. Крыжановскаяab, А. Ю. Егоровab

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
PDF полного текста (1010 kB) Список цитирования (8)
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных работ по созданию светодиодных наногетероструктур твердых растворов GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ с новым типом прозрачного электрода на основе CVD-графена и исследованию их электролюминесцентных свойств. Продемонстрирована высокая стабильность длины волны излучения (около 2–3 нм) при увеличении температуры (от 12 до 60$^\circ$C) и инжекционном токе (вплоть до 1 А).
Поступила в редакцию: 06.12.2011
Принята в печать: 19.12.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 6, Pages 796–800
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261206005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, В. Ю. Бутко, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, Н. В. Крыжановская, А. Ю. Егоров, “Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 815–819; Semiconductors, 46:6 (2012), 796–800
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabButSob12}
\by А.~В.~Бабичев, В.~Ю.~Бутко, М.~С.~Соболев, Е.~В.~Никитина, Н.~В.~Крыжановская, А.~Ю.~Егоров
\paper Электролюминесценция наногетероструктур GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ через прозрачный электрод, сформированный из CVD-графена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 6
\pages 815--819
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8266}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319188}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 6
\pages 796--800
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261206005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8266
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i6/p815
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025