Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов

Проведены исследования транзисторных гетероструктур с высокой подвижностью носителей тока. Показано, что при увеличении дозы $\gamma$-облучения $\Phi$ их деградация включает следующую последовательность. 1) При $\Phi<$ 10$^7$ рад наблюдается разрушение приповерхностного слоя GaAs глубиной до 10 нм за счет уменьшения энергии диффузии собственных дефектов на величину более 0.2 эВ и, вероятно, атмосферного кислорода. 2) При $\Phi>$ 10$^7$ рад вблизи микродефектов, дислокаций формируются области размером более 1 мкм со значительным структурным беспорядком. 3) При $\Phi>$ 10$^8$ рад происходит деградация внутренних интерфейсов AlGaAs/InGaAs/GaAs и рабочего канала. Эффективным способом исследования процессов разрушении гетероструктур является использование комплекса методик структурной диагностики, изучение процессов радиационной и временной деградации в сочетании с теоретическим моделированием протекающих процессов.