Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников

Объяснена зависимость интегрального поглощения в образцах Al$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As от магнитного поля, наблюдаемая экспериментально при 1.7 K. Установлено, что эта зависимость представляет собой конкуренцию двух механизмов: рост интегрального поглощения, связанный с увеличением силы осциллятора вследствие сжатия волновой функции экситона магнитным полем, и падение, обусловленное магнитным вымораживанием заряженных рассеивающих центров. На основе анализа интегрального поглощения показано, что в рассмотренных образцах в магнитном поле возникают диамагнитные экситонные поляритоны.