Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7, страницы 922–924 (Mi phts8282)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние щелочных металлов на электронные свойства межзеренных границ на поверхности поликристаллического кремния

Л. О. Олимов

Андижанский государственный университет им. З.М. Бабура, 710000 Андижан, Узбекистан
PDF полного текста (216 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Экспериментально изучено влияние щелочных металлов на дрейф носителей заряда межзеренных границ на поверхности поликристаллического кремния. Полученные результаты показывают, что увеличение концентрации легирующих примесей в процессе диффузии, десорбции, а также адсорбции щелочных металлов вдоль межзеренных границ приводит к росту потенциального барьера.
Поступила в редакцию: 19.09.2011
Принята в печать: 01.12.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 7, Pages 898–900
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612070159
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. О. Олимов, “Влияние щелочных металлов на электронные свойства межзеренных границ на поверхности поликристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 922–924; Semiconductors, 46:7 (2012), 898–900
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Oli12}
\by Л.~О.~Олимов
\paper Влияние щелочных металлов на электронные свойства межзеренных границ на поверхности поликристаллического кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 922--924
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8282}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319204}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 898--900
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612070159}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8282
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i7/p922
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025