Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7, страницы 940–943 (Mi phts8285)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами

В. Я. Алешкинa, А. А. Дубиновa, Л. В. Гавриленкоa, З. Ф. Красильникa, Д. И. Курицынa, Д. И. Крыжков, С. В. Морозовa

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (457 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования субпикосекундной динамики релаксации фотоносителей в гетероструктуре In$_{0.22}$Ga$_{0.78}$As/GaAs с квантовыми ямами. На основе исследования фотолюминесценции структуры методом ап-конверсии была определена скорость “остывания” носителей в квантовой яме, а также время захвата носителей в яму, составляющее $\sim$1 пс при 300 K и 6.5 пс при 10 K.
Поступила в редакцию: 26.12.2011
Принята в печать: 27.12.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 7, Pages 917–920
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612070032
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Л. В. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Д. И. Курицын, Д. И. Крыжков, С. В. Морозов, “Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 940–943; Semiconductors, 46:7 (2012), 917–920
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleDubGav12}
\by В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, Л.~В.~Гавриленко, З.~Ф.~Красильник, Д.~И.~Курицын, Д.~И.~Крыжков, С.~В.~Морозов
\paper Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 940--943
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8285}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319207}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 917--920
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612070032}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8285
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i7/p940
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025