Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7, страницы 966–970 (Mi phts8289)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Влияние состава на электрические свойства аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$

О. Л. Хейфец, Э. Ф. Шакиров, Н. В. Мельникова, А. Л. Филиппов, Л. Л. Нугаева

Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620000 Екатеринбург, Россия
Аннотация: Работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$ ($x$ = 0.1, 0.4–0.6, 0.9) при низких температурах. Исследования проведены с целью получения материалов с улучшенными характеристиками (увеличение доли ионного переноса, снижение температур его появления, увеличение величины проводимости). Синтезированные соединения являются электронно-ионными проводниками. Увеличение доли германия приводит к повышению температуры начала ионного переноса и к уменьшению удельной электропроводности.
Поступила в редакцию: 13.12.2011
Принята в печать: 19.12.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 7, Pages 943–947
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612070123
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Л. Хейфец, Э. Ф. Шакиров, Н. В. Мельникова, А. Л. Филиппов, Л. Л. Нугаева, “Влияние состава на электрические свойства аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 966–970; Semiconductors, 46:7 (2012), 943–947
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KheShaMel12}
\by О.~Л.~Хейфец, Э.~Ф.~Шакиров, Н.~В.~Мельникова, А.~Л.~Филиппов, Л.~Л.~Нугаева
\paper Влияние состава на электрические свойства аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 966--970
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8289}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319211}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 943--947
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612070123}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8289
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i7/p966
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025