|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7, страницы 966–970
(Mi phts8289)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
Влияние состава на электрические свойства аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$
О. Л. Хейфец, Э. Ф. Шакиров, Н. В. Мельникова, А. Л. Филиппов, Л. Л. Нугаева Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620000 Екатеринбург, Россия
Аннотация:
Работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$ ($x$ = 0.1, 0.4–0.6, 0.9) при низких температурах. Исследования проведены с целью получения материалов с улучшенными характеристиками (увеличение доли ионного переноса, снижение температур его появления, увеличение величины проводимости). Синтезированные соединения являются электронно-ионными проводниками. Увеличение доли германия приводит к повышению температуры начала ионного переноса и к уменьшению удельной электропроводности.
Поступила в редакцию: 13.12.2011 Принята в печать: 19.12.2011
Образец цитирования:
О. Л. Хейфец, Э. Ф. Шакиров, Н. В. Мельникова, А. Л. Филиппов, Л. Л. Нугаева, “Влияние состава на электрические свойства аморфных халькогенидов AgGe$_{1+x}$As$_{1-x}$S$_3$”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 966–970; Semiconductors, 46:7 (2012), 943–947
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8289 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i7/p966
|
|