|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7, страницы 971–978
(Mi phts8290)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений
В. К. Еремин, Н. Н. Фадеева, Е. М. Вербицкая, Е. И. Теруков Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Проведено исследование распределения потенциалов по VTS (VTS – Voltage Terminating Structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, облученных нейтронами в диапазоне доз от 1 $\cdot$ 10$^{10}$ до 5 $\cdot$ 10$^{15}$ экв. нейтр./см$^2$, где VTS представляет собой систему плавающих кольцевых $p^+$–$n$-переходов. Показано, что изменение профиля электрического поля в объеме детектора при увеличении дозы облучения является определяющим фактором в распределении потенциалов по VTS. Установлены механизмы функционирования VTS: при дозах облучения менее 5 $\cdot$ 10$^{14}$ экв. нейтр./см$^2$ распределение потенциалов между кольцами осуществляется по механизму “прокола” межкольцевого промежутка, а при больших дозах контролируется токовым механизмом, определяемым плотностью протекающего в объеме детектора генерационного тока электронов и дырок. Предложенные механизмы функционирования VTS подтверждены экспериментально и путем моделирования.
Поступила в редакцию: 26.12.2011 Принята в печать: 30.12.2011
Образец цитирования:
В. К. Еремин, Н. Н. Фадеева, Е. М. Вербицкая, Е. И. Теруков, “Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 971–978; Semiconductors, 46:7 (2012), 948–956
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8290 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i7/p971
|
|