Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7, страницы 971–978 (Mi phts8290)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений

В. К. Еремин, Н. Н. Фадеева, Е. М. Вербицкая, Е. И. Теруков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация: Проведено исследование распределения потенциалов по VTS (VTS – Voltage Terminating Structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, облученных нейтронами в диапазоне доз от 1 $\cdot$ 10$^{10}$ до 5 $\cdot$ 10$^{15}$ экв. нейтр./см$^2$, где VTS представляет собой систему плавающих кольцевых $p^+$$n$-переходов. Показано, что изменение профиля электрического поля в объеме детектора при увеличении дозы облучения является определяющим фактором в распределении потенциалов по VTS. Установлены механизмы функционирования VTS: при дозах облучения менее 5 $\cdot$ 10$^{14}$ экв. нейтр./см$^2$ распределение потенциалов между кольцами осуществляется по механизму “прокола” межкольцевого промежутка, а при больших дозах контролируется токовым механизмом, определяемым плотностью протекающего в объеме детектора генерационного тока электронов и дырок. Предложенные механизмы функционирования VTS подтверждены экспериментально и путем моделирования.
Поступила в редакцию: 26.12.2011
Принята в печать: 30.12.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 7, Pages 948–956
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612070081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. К. Еремин, Н. Н. Фадеева, Е. М. Вербицкая, Е. И. Теруков, “Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 971–978; Semiconductors, 46:7 (2012), 948–956
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EreFadVer12}
\by В.~К.~Еремин, Н.~Н.~Фадеева, Е.~М.~Вербицкая, Е.~И.~Теруков
\paper Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 971--978
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8290}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319212}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 948--956
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612070081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8290
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i7/p971
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025