Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 7, страницы 984–990 (Mi phts8292)  

Эта публикация цитируется в 28 научных статьях (всего в 28 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние концентрации олова на состав, оптические и электрические свойства пленок ITO, осажденных методом ультразвукового спрей-пиролиза на кремний и стекло

Г. Г. Унтила, Т. Н. Кост, А. Б. Чеботарева, М. А. Тимофеев

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, 119991 Москва, Россия
Аннотация: С целью оптимизации свойств легированного оловом оксида индия (ITO) применительно к кремниевым солнечным элементам осаждали пленки толщиной $\sim$100 нм методом ультразвукового спрей-пиролиза при температуре 380$^\circ$C в аргоне на подложки $(nn^+)$-Cz-Si и стекла, варьируя относительное содержание Sn и In в пленкообразующем растворе в диапазоне Sn/In = 0–12 ат%. Оптимальные параметры показали пленки, полученные при Sn/In = 2–3 ат% в растворе (в пленке Sn/(In+Sn) = 5.2–5.3 ат%): эффективное поглощение пленок на стекле, взвешенное по солнечному спектру в диапазоне длин волн 300–1100 нм, составило 1.6–2.1%, слоевое сопротивление пленок на кремнии $R_s$ = 45–55 Ом/$\square$, пленок на стекле $R_s$ = 165–175 Ом/$\square$. Через 8 месяцев хранения на воздухе $R_s$ оптимальных пленок не изменилось, $R_s$ остальных пленок выросло: для пленок на кремнии до 2 раз, на стекле до 14 раз.
Поступила в редакцию: 21.12.2011
Принята в печать: 30.12.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 7, Pages 962–968
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612070202
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Г. Унтила, Т. Н. Кост, А. Б. Чеботарева, М. А. Тимофеев, “Влияние концентрации олова на состав, оптические и электрические свойства пленок ITO, осажденных методом ультразвукового спрей-пиролиза на кремний и стекло”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 984–990; Semiconductors, 46:7 (2012), 962–968
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UntKosChe12}
\by Г.~Г.~Унтила, Т.~Н.~Кост, А.~Б.~Чеботарева, М.~А.~Тимофеев
\paper Влияние концентрации олова на состав, оптические и электрические свойства пленок ITO, осажденных методом ультразвукового спрей-пиролиза на кремний и стекло
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 984--990
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8292}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319214}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 7
\pages 962--968
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612070202}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8292
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i7/p984
  • Эта публикация цитируется в следующих 28 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025