Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 8, страницы 999–1003 (Mi phts8295)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Изменение оптических свойств кристаллов CuI под действием электрического поля

А. Н. Грузинцев, В. Н. Загороднев

Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
Аннотация: Исследовано влияние приложения постоянного электрического поля на электрическое сопротивление, прозрачность и люминесценцию в видимой и фиолетовой областях спектра кристаллов иодида меди. Показано, что проводимость, прозрачность и краевая люминесценция кристаллов уменьшается под действием поля при комнатной температуре с характерными временами порядка 10 мин. Установлена обратимость данных процессов, обусловленных образованием и диффузией собственных дефектов (Cu$_i$ и $V_{\mathrm{Cu}}$) донорного и акцепторного типа в кристаллической решетке соединения CuI.
Поступила в редакцию: 10.01.2012
Принята в печать: 13.01.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 8, Pages 975–979
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612080076
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Грузинцев, В. Н. Загороднев, “Изменение оптических свойств кристаллов CuI под действием электрического поля”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 999–1003; Semiconductors, 46:8 (2012), 975–979
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GruZag12}
\by А.~Н.~Грузинцев, В.~Н.~Загороднев
\paper Изменение оптических свойств кристаллов CuI под действием электрического поля
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 999--1003
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8295}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319217}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 975--979
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612080076}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8295
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i8/p999
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025