Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 8, страницы 1027–1031 (Mi phts8300)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Электрические характеристики структур $n$-GaAs–анодная пленка Ga$_2$O$_3$–металл

В. М. Калыгина, К. И. Валиев, А. Н. Зарубин, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич

Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия
PDF полного текста (224 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Исследовано влияние кислородной плазмы и термического отжига при 900$^\circ$C на вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур $n$-GaAs-анодный окисел-металл. В отличие от структур без отжига высокотемпературный отжиг в аргоне в течение 30 мин приводит к появлению зависимости емкости $(C)$ и проводимости $(G)$ от напряжения. Воздействие кислородной плазмы на пленку оксида галлия перед отжигом способствует дополнительному изменению вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик.
Поступила в редакцию: 11.01.2012
Принята в печать: 18.01.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 8, Pages 1003–1007
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612080088
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. М. Калыгина, К. И. Валиев, А. Н. Зарубин, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич, “Электрические характеристики структур $n$-GaAs–анодная пленка Ga$_2$O$_3$–металл”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1027–1031; Semiconductors, 46:8 (2012), 1003–1007
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalValZar12}
\by В.~М.~Калыгина, К.~И.~Валиев, А.~Н.~Зарубин, Ю.~С.~Петрова, О.~П.~Толбанов, А.~В.~Тяжев, Т.~М.~Яскевич
\paper Электрические характеристики структур $n$-GaAs--анодная пленка Ga$_2$O$_3$--металл
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 1027--1031
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8300}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319222}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 1003--1007
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612080088}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8300
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i8/p1027
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025