Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 8, страницы 1049–1053 (Mi phts8305)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме

А. Е. Жуковa, Л. В. Асрянb, Ю. М. Шерняковc, М. В. Максимовc, Ф. И. Зубовa, Н. В. Крыжановскаяa, K. Yvindd, Е. С. Семеноваd

a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет), 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia 24061, USA
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d DTU Fotonik, Technical University of Denmark, Kgs. Lyngby, DK-2800, Denmark
PDF полного текста (308 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Исследована температурная чувствительность плотности порогового тока лазеров на квантовой яме и проанализированы факторы, определяющие характеристическую температуру и ее зависимость от оптических потерь. Показано, что введение асимметричных потенциальных барьеров (по одному с каждой стороны от квантовой ямы), препятствующих появлению биполярной заселенности носителей в волноводной области, приводит к ослаблению температурных зависимостей плотности тока прозрачности и параметра насыщения усиления и как следствие к повышению характеристической температуры в лазерных диодах как с длинным, так и коротким резонатором.
Поступила в редакцию: 18.01.2012
Принята в печать: 23.01.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 8, Pages 2017–1031
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612080246
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, Ю. М. Шерняков, М. В. Максимов, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, K. Yvind, Е. С. Семенова, “Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1049–1053; Semiconductors, 46:8 (2012), 2017–1031
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuAsrShe12}
\by А.~Е.~Жуков, Л.~В.~Асрян, Ю.~М.~Шерняков, М.~В.~Максимов, Ф.~И.~Зубов, Н.~В.~Крыжановская, K.~Yvind, Е.~С.~Семенова
\paper Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 1049--1053
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8305}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319227}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 2017--1031
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612080246}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8305
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i8/p1049
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025