Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера

Рассчитана ватт-амперная характеристика полупроводникового лазера с несколькими квантовыми ямами с учетом замедленного захвата носителей заряда из волноводной области в ямы. Показано, что увеличение числа квантовых ям является более эффективным способом улучшения мощностных характеристик лазера по сравнению с увеличением скорости захвата в каждую из ям. Так, использование двух квантовых ям в качестве активной области приводит к значительному увеличению внутренней квантовой эффективности стимулированного излучения и существенно большей линейности ватт-амперной характеристики лазера по сравнению с одноямной структурой. Использование же трех или более квантовых ям дает лишь незначительное улучшение мощностных характеристик лазера по сравнению с двухъямной структурой. Таким образом, с точки зрения высоких выходных мощностей и простоты роста двухъямная структура является наиболее оптимальной.