Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 8, страницы 1108–1110 (Mi phts8314)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки

И. Г. Пашаев

Бакинский государственный университет, AZ-1148 Баку, Азербайджан
Аннотация: Изучена причина появления избыточного тока вблизи температуры кристаллизации аморфного металлического сплава PbSb и одновременно объяснено влияние ультразвуковой обработки на свойства кремниевых солнечных элементов на основе диодов Шоттки с аморфным металлическим сплавом ($a$-PbSb)–$n$-Si. Установлено, что появление избыточного тока в диодах Шоттки ($a$-PbSb)–$n$-Si под действием термического отжига связано с изменениями структуры аморфной пленки металла при переходе в поликристаллическое состояние. Влияние ультразвуковой обработки на фотоэлектрические свойства солнечных элементов зависит от выбранного режима обработки.
Поступила в редакцию: 08.11.2011
Принята в печать: 21.11.2011
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 8, Pages 1085–1087
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612080155
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Г. Пашаев, “Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1108–1110; Semiconductors, 46:8 (2012), 1085–1087
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pas12}
\by И.~Г.~Пашаев
\paper Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 1108--1110
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8314}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319236}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 8
\pages 1085--1087
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612080155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8314
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i8/p1108
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025