Закономерность изменения кристаллохимических, электрофизических и поверхностных физико-химических свойств материалов A$^X$B$^{8-X}$ от энергии обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта

На основе обобщения большого экспериментального материала о структуре, составе, адсорбционных и электрофизических свойств поверхности алмазоподобных полупроводников впервые установлена закономерность изменения их кристаллохимических, электрофизических и поверхностных (адсорбционных, электрофизических) свойств в зависимости от энергии обратного адсорбционного пьезоэлектрического эффекта. Отмечено совпадение величин этой энергии с энергией образования и гибели точечных дефектов в твердых телах, определяемой дилатометрическим и калориметрическим методами. Для соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ получены эмпирические формулы изменения ширины запрещенной зоны, температуры плавления и микротвердости в зависимости от энергетической плотности в кислороде. На основе установленной закономерности найдены значения микротвердости полупроводниковых материалов HgS, HgSe, Cd$_{0.12}$Hg$_{0.88}$Te, отсутствующие в справочной литературе.