Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF$_3$, в сильных электрических полях

Исследованием вольт-амперных характеристик структуры Al-Se$_{95}$As$_5$ $\langle$EuF$_3\rangle$-Te установлено, что токопрохождение в нем при приложении к Te положительного потенциала осуществляется по механизму токов монополярной инжекции, ограниченных пространственным зарядом, а при обратной полярности наблюдается вольт-амперная характеристика $N$-типа. Показано, что при напряженностях приложенного электрического поля, превышающих 10$^5$ В/см, в механизме токопрохождения в исследованных структурах преобладающую роль играют процессы термополевой ионизации нейтральных и отрицательно заряженных $U^-$-центров, а также процессы рекомбинации электронов и дырок, и захват носителей заряда на $U^-$-центры. Определены энергетическое положение и концентрация локальных состояний, соответствующих указанным центрам и характеризующих влияние электрического поля–длина активации. Установлено, что примеси EuF$_3$ в основном влияют на концентрацию локальных состояний.