|
|
Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 9, страницы 1146–1149
(Mi phts8321)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$
И. В. Боднарь, В. В. Шаталова Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники,
220013 Минск, Беларусь
Аннотация:
На монокристаллах соединений In$_2$S$_3$, CuIn$_5$S$_8$ и твердых растворах (In$_2$S$_3$)$_x$(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$, выращенных методом Бриджмена (вертикальный вариант), проведены исследования спектров пропускания в области края фундаментальной полосы поглощения при 80 и 295 K. По полученным спектрам определена ширина запрещенной зоны указанных соединений и твердых растворов на их основе, а также построены ее концентрационные зависимости. Показано, что ширина запрещенной зоны с параметром состава $x$ при 80 и 295 K изменяется нелинейно и описывается квадратичной зависимостью.
Поступила в редакцию: 06.03.2012 Принята в печать: 12.03.2012
Образец цитирования:
И. В. Боднарь, В. В. Шаталова, “Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_2$S$_3$)$_x$(CuIn$_5$S$_8$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1146–1149; Semiconductors, 46:9 (2012), 1122–1125
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts8321 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i9/p1146
|
|