Терагерцовое излучение при межзонном фотовозбуждении слоев GaN

Сообщается об экспериментальном обнаружении и исследовании терагерцовой фотолюминесценции при стационарном, межзонном фотовозбуждении эпитаксиальных слоев $n$-GaN(Si). Свойства спектра терагерцового излучения, его зависимость от температуры и интенсивности фотовозбуждения свидетельствуют о том, что излучение возникает в результате захвата неравновесных электронов на заряженные доноры. При низких температурах в материале $n$-типа заряженные доноры могут образовываться в результате рекомбинации неравновесных дырок с электронами, локализованными на донорных центрах. Основной вклад в терагерцовую фотолюминесценцию дают $2P\to1S$ оптические переходы между первым возбужденным и основным состоянием доноров. Кроме того, в спектре терагерцового излучения проявляются оптические переходы электронов из состояний в зоне проводимости на основное состояние доноров, а также переходы на возбужденные состояния доноров.