Влияние отжига на спектры ядерного квадрупольного резонанса селенидов галлия–индия и характеристики структур на их основе

Представлены результаты исследования влияния низкотемпературного отжига (до 250$^\circ$C) на спектры ядерного квадрупольного резонанса в слоистых монокристаллах GaSe и InSe, а также электрические и фотоэлектрические характеристики структуры $p$-GaSe–$n$-InSe. Показано, что с понижением температуры отжига вплоть до комнатной качество образцов улучшается за счет уменьшения дефектности кристаллов и упорядочения в системе политипов. Определены температурные режимы термообработки, при которых происходит улучшение основных параметров гетероперехода. Обсуждаются механизмы, оказывающие влияние на поведение структуры $p$-GaSe–$n$-InSe при отжиге.