Уточненная модель вольт-амперной характеристики фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами

Экспериментально исследованы температурные зависимости темнового тока фотодетекторов инфракрасного излучения на основе структур с квантовыми ямами. Установлено, что предэкспоненциальный множитель в аналитическом выражении для вольт-амперной характеристики детектора линейно зависит от температуры. На основании полученных результатов было сделано предположение, что температурная зависимость темнового тока детекторов определяется термогенерацией электронов в зону с двумерной плотностью состояний. Указанное предположение позволило предложить уточненную модель вольт-амперной характеристики, учитывающую особенности термогенерации носителей в зону с двумерной плотностью состояний, полевую зависимость термической энергии активации основного состояния в квантовой яме и дрейфовой скорости носителей в зоне проводимости в барьерах.