Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом

C использованием 8-зонного $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ гамильтониана исследовано обменное усиление $g$-фактора квазичастиц в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом со спиновым расщеплением Рашбы. Показано, что в слабых магнитных полях учет спинового расщепления Рашбы приводит к значительному увеличению амплитуды осцилляций $g$-фактора квазичастиц, перенормированного обменным взаимодействием. Из анализа осцилляций Шубникова–де Гааза при температуре 250 мK определена величина расщепления Рашбы и $g$-фактора квазичастиц. Полученные экспериментальные значения находятся в хорошем согласии с теоретическими расчетами, выполненными с учетом асимметричного “встроенного” электрического поля в гетероструктурах InAs/AlSb.