Солнечный элемент из кремния $n$-типа, двусторонний, концентраторный

Для уменьшения стоимости фотоэлектричества, вырабатываемого кремниевыми солнечными элементами (СЭ), разрабатывают различные подходы, наиболее приоритетными из которых являются: увеличение эффективности солнечных элементов, переход от $p$-Si на $n$-Si, концентрация света, двусторонние солнечные элементы. В данной работе разработан солнечный элемент, сочетающий все эти подходы за счет применения прозрачных проводящих оксидов в качестве антиотражающих и пассивирующих электродов в структуре Indium-Tin-Oxide/$(p^+nn^+)$-Si/Indium–Fluorine–Oxide из кремния Чохральского с проволочными контактами (конструкция Laminated Grid Cell), который показал лицевую/тыльную эффективность 16.5–16.7/15.1–15.3% при освещенности 1–3 Х (“солнц”). Результат является уникальным, поскольку сочетание двусторонности и концентраторности не имеет аналогов, а полученный СЭ не уступает мировому уровню как в классе двусторонних, так и концентаторных СЭ.