Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1010–1070 нм)

Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длины волн $\lambda$ = 1010–1070 нм). Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры активной области является процесс делокализации носителей заряда в волноводный слой. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда зависит от энергетической глубины квантовой ямы активной области. Показано, что минимальные внутренние оптические потери при 140$^\circ$C достигаются в лазерных структурах с максимальной энергетической глубиной квантовой ямы активной области.