Температурная зависимость пороговой плотности тока в полупроводниковых лазерах ($\lambda$ = 1050–1070 нм)

Исследованы температурные зависимости пороговой плотности тока и пороговой концентрации в полупроводниковых лазерах на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом, изготовленных методом МОС-гидридной эпитаксии (длины волн $\lambda$ = 1050–1070 нм). Показано, что в полупроводниковых лазерах при температурах выше комнатной температурная зависимость пороговой плотности тока резко усиливается, что обусловлено температурной делокализацией носителей заряда в волноводные слои лазерной гетероструктуры. Установлено, что резкое снижение температурной стабильности пороговой плотности тока с увеличением температуры коррелирует с совмещением положения уровня Ферми с дном зоны проводимости волноводного слоя лазерной гетероструктуры. Экспериментально показано, что увеличение энергетической глубины и числа квантовых ям в активной области полупроводникового лазера повышает температурную стабильность пороговой плотности тока. Показано, что характеристический параметр $T_0$ в диапазоне температур (-20)–(+70$^\circ$)C достигает величины 220 K.