Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов

Исследована технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов. Исследованы зависимости скорости реактивно-ионного травления SiC в разряде с индуктивно-связанной плазмой от давления смеси газов SF$_6$/O$_2$/Ar (5–40 мТорр), высокочастотной мощности, подаваемой на нижний электрод (200–300 Вт); соотношения потоков рабочих газов (5:1:(0–10)) и температуры нижнего электрода (5–50$^\circ$C). На их основе разработан процесс травления щелевых сквозных отверстий в подложках SiC диаметром 76 мм, с толщинами 50, 100 мкм, характеризующийся гладкой морфологией поверхности травления, высокой скоростью (1 мкм/мин) и низким уровнем высокочастотной мощности, вкладываемой в разряд с индуктивно-связанной плазмой (1000 Вт). Разработанный процесс травления отверстий в подложках SiC характеризуется коэффициентом селективности $S$ = 12 и коэффициентом анизотропии травления $A$ = 13. В качестве маски для травления сквозных отверстий в подложках SiC рекомендовано использовать пленку на основе NiB. Разработаны процессы формирования металлизации сквозных отверстий с помощью электрохимического осаждения слоев Ni и Au.