Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 9, страницы 1244–1247 (Mi phts8337)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO$_2$ в процессе быстрого термического отжига

Р. В. Конаковаa, А. Ф. Коломысa, О. С. Литвинa, О. Б. Охрименкоa, В. В. Стрельчукa, Л. Г. Линецb, А. В. Светличныйb

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, 03028 Киев, Украина
b Таганрогский технологический институт Южного федерального университета (ТТИ ЮФУ), 347928 Таганрог, Россия
PDF полного текста (385 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Проведены исследования морфологии поверхности, спектров комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции структур SiC/por-SiC/TiO$_2$ до и после быстрой термической обработки. Показано, что быстрая термическая обработка приводит к появлению в спектрах комбинационного рассеяния полос, характерных для соединений углерода. Анализ спектров фотолюминесценции, возбуждаемой излучением с энергией, меньшей ширины запрещенной зоны в 6H-SiC, показал, что появление фотолюминесценции в пористом карбиде кремния связано с примесными состояниями, которые образуются на поверхности за счет продуктов химических реакций при травлении.
Поступила в редакцию: 27.02.2012
Принята в печать: 07.03.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 9, Pages 1221–1224
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612090114
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Конакова, А. Ф. Коломыс, О. С. Литвин, О. Б. Охрименко, В. В. Стрельчук, Л. Г. Линец, А. В. Светличный, “Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO$_2$ в процессе быстрого термического отжига”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1244–1247; Semiconductors, 46:9 (2012), 1221–1224
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonKolLit12}
\by Р.~В.~Конакова, А.~Ф.~Коломыс, О.~С.~Литвин, О.~Б.~Охрименко, В.~В.~Стрельчук, Л.~Г.~Линец, А.~В.~Светличный
\paper Преобразование структуры SiC/por-SiC/TiO$_2$ в процессе быстрого термического отжига
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 9
\pages 1244--1247
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8337}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319259}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 9
\pages 1221--1224
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612090114}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8337
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i9/p1244
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025