Оптические свойства структур GaAs, содержащих периодическую систему слоев металлических нановключений AsSb

Исследованы оптическое отражение и пропускание структур GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре и периодически delta-легированных сурьмой или фосфором. Периодичность легирования соответствовала брэгговскому условию для света с длиной волны в вакууме $\sim$1.4 мкм. Структуры были подвергнуты отжигу при различных температурах в диапазоне 400–760$^\circ$C, который приводил к формированию хаотической трехмерной системы металлических нановключений (квантовых точек) As в объеме эпитаксиального слоя GaAs, а также к формированию двумерных слоев металлических нановключений (квантовых точек) AsSb на $\delta$-слоях Sb. $\delta$-слои P не влияли существенно на формирование системы нановключений As. В спектрах оптического отражения и пропускания нами не обнаружено особенностей, которые можно было бы связать с неупорядоченной трехмерной системой нановключений As. Периодическая система двумерных слоев металлических нановключений AsSb проявила себя в виде резонансного пика в спектрах оптического отражения и поглощения. Величина резонансного отражения и поглощения увеличивалась с увеличением размера нановключений AsSb. Резонансная длина волны зависела от угла падения света в соответствии с законом Брэгга.