Инверсия знака примесной проводимости в стеклообразных пленках As$_2$Se$_3$:Bi, полученных двумя различными методами

Показано, что в пленках As$_2$Se$_3$:Bi$_x$, полученных методом термического напыления, осуществляется примесная проводимость $p$-типа, а в таких же пленках, полученных ионно-плазменным сораспылением в вакууме, осуществляется примесная проводимость $n$-типа. На основе этого предложен новый метод получения $p$–$n$-гомопереходов в пленочных структурах из халькогенидных стеклообразных полупроводников, легированных висмутом различными методами.