Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2012, том 46, выпуск 10, страницы 1327–1332 (Mi phts8350)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Активная проводимость трехбарьерной резонансно-туннельной структуры и оптимизация работы квантового каскадного лазера

Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, В. А. Матиек, И. В. Бойко

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, 58012 Черновцы, Украина
PDF полного текста (334 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: В модели эффективной массы и прямоугольных потенциалов предложена теория активной электронной проводимости в постоянном электрическом поле трехбарьерной резонансно-туннельной структуры как активного элемента квантового каскадного лазера. Показано, что выбранные геометрические параметры активных зон в первых экспериментально созданных квантовых каскадных лазерах оказались наиболее оптимальными, а экспериментальные и теоретические значения энергий излучения коррелируют между собой с точностью до нескольких процентов.
Поступила в редакцию: 13.02.2012
Принята в печать: 23.03.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2012, Volume 46, Issue 10, Pages 1304–1309
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782612100156
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Ткач, Ю. А. Сети, В. А. Матиек, И. В. Бойко, “Активная проводимость трехбарьерной резонансно-туннельной структуры и оптимизация работы квантового каскадного лазера”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1327–1332; Semiconductors, 46:10 (2012), 1304–1309
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TkaSetMat12}
\by Н.~В.~Ткач, Ю.~А.~Сети, В.~А.~Матиек, И.~В.~Бойко
\paper Активная проводимость трехбарьерной резонансно-туннельной структуры и оптимизация работы квантового каскадного лазера
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1327--1332
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts8350}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319272}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2012
\vol 46
\issue 10
\pages 1304--1309
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782612100156}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts8350
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v46/i10/p1327
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025